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2SK33720UL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Panasonic
原廠封裝
07＋
-

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北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
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地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
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10000
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只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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45775
PANASONIC
1521+
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全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市柏新電子科技有限公司
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聯(lián)系人：林小姐//方先生
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地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
10000
PANASONIC
SOT-423
2012+
-
只做原裝正品

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深圳市奧偉斯科技有限公司
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聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
TOSHIBA
SOD423
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低價大批量供應(yīng)

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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功能描述
JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點場效應(yīng)
系列
-
標準包裝
8,000
系列
-
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.2mA @ 10V
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
漏極電流 (Id) - 最大
10mA
FET 型
N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
-
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id
180mV @ 1µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4pF @ 10V
電阻 - RDS（開）
200 歐姆
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
封裝/外殼
3-XFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
3-ECSP1006
功率 - 最大
100mW

2SK33720UL 技術(shù)參數(shù)

2SK33720TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK33720SL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK33720RL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3342(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:2,000 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供應(yīng)商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L