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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3359 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK3359 |
Preliminary Data Sheet D14323EJ1V0DS00
3
2SK3359
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-220SMD (MP-25Z)
EQUIVALENT CIRCUIT
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
3
1
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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