參數(shù)資料
型號： 2SK2735L-E
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： 2SK2735L-E
2SK2735(L), 2SK2735(S)
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7
Case Temperature TC (°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(m
)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Drain Current ID (A)
Forward
Transfer
Admittance
y
fs
(S)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
Dynamic Input Characteristics
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
Switching Characteristics
Switching
Time
t
(ns)
Drain Current ID (A)
100
80
60
40
20
–40
0
40
80
120
160
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
30
3
10
0.3
1
0.1
ID = 20 A
VGS = 4 V
10 V
5, 10 A
5, 10, 20 A
25
°C
Tc = –25
°C
75
°C
Pulse Test
VDS = 10 V
Pulse Test
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
10000
2000
5000
1000
100
200
500
1000
300
30
100
3
10
1
di / dt = 50 A /
s
VGS = 0, Ta = 25°C
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
1000
300
30
100
3
10
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
VGS = 10 V, VDD = 10 V
PW = 5
s, duty < 1 %
tf
tr
td(on)
td(off)
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
8
1624
3240
0
VDD = 5 V
10 V
25 V
ID = 20 A
VGS
VDS
VDD = 25 V
10 V
5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2735STL-E 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2735L-E 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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