參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2735L-E
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： 2SK2735L-E
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK2735(L), 2SK2735(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1029-0200
(Previous: ADE-208-543)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
RDS = 20 m
typ.
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B
(Package name: DPAK(L)-(2))
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C
(Package name: DPAK(S))
1
2 3
4
1
2
3
4
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2735STL-E 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2735L-E 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2737-E 45 A, 30 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK2740 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK2746 7 A, 800 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK2744 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2744(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
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