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參數資料
| 型號： | 2SK2212 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SK2212 |
2SK2212
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
500
200
100
20
50
10
5
0.2
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0.5
1
2
5
10
20
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
5000
1000
100
10
5
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
500
400
300
200
100
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
V = 50 V
100 V
150 V
V
GS
DS
V
Dynamic Input Characteristics
I = 15 A
V = 150 V
100 V
50 V
8
16
24
32
40
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
5
0.2
500
200
100
20
50
10
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
0.5
1
2
5
10
20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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