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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2212 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK2212 |
2SK2212
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
0.5
50
20
10
2
1
5
0.2
0.1
0.05
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200 500
1m
PW=10ms(1sho)
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DCOpeaion(T =25C
100μs
Ta = 25 °C
10μ
20
16
12
8
4
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
4 V
Typical Output Characteristics
5 V
10 V
4
8
12
16
20
4.5 V
V = 3.5 V
5.5 V
6 V
10
8
6
4
2
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = 10 V
Pulse Test
Typical Transfer Characteristics
Tc = 75°C
25°C
–25°C
2
4
6
8
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2216 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2218 | N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 2SK222 | N-Channel Junction Silicon FET for Low-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(低頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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