參數(shù)資料
型號: 2SK2202
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 47K
代理商: 2SK2202
2SK2202
7
10
8
6
4
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V = 0, –5 V
10 V
5 V
Pulse Width PW (S)
N
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
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