參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2202
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大?。?/td> 47K
代理商: 2SK2202
2SK2202
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
0.1
20
10
2
5
1
0.2
0.5
2
5
10
20
50
100
200
DCOpeaion(Tc=25°C
10 μs
100μs
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
V = 2.5 V
3.5 V
3 V
Pulse Test
10 V
6 V
4 V
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = 10 V
Pulse Test
Typical Transfer Characteristics
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
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