參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2202
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
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代理商: 2SK2202
2SK2202
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10
1000
200
500
100
20
50
di / dt = 50 A / μs, V = 0
Ta = 25 °C, Pulse Test
10
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
2000
1000
200
100
500
20
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
200
160
120
80
40
0
8
16
24
32
40
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
Dynamic Input Characteristics
V
GS
DS
V
V = 100 V
50 V
25 V
V = 100 V
50 V
25 V
I = 7 A
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
500
200
100
20
50
10
3
5
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
V = 10 V
V = 30 V
PW = 2 μs
duty < 1 %
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