參數(shù)資料
型號: 2SK2202
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 47K
代理商: 2SK2202
2SK2202
5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Pulse Test
2 A
1 A
I = 5 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
5
2
1
0.2
0.5
0.1
10 V
V = 4 V
Pulse Test
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
V = 4 V
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
10 V
2 A
1 A
5 A
1, 2 A
I = 5 A
D
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.2
0.5
1
2
5
10
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
Tc = 75 °C
25 °C
–25 °C
V = 10 V
Pulse Test
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