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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1957 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK1957 |
2SK1957
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.2
1
5
20
5
100
500
Reverse Drain Current I (A)
R
r
200
50
20
10
0.5
2
10
di/dt = 100 A/ s, V = 0
Ta = 25
°
C
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
100
10
1
0
Drain to Source Voltage V (V)
C
1000
10
20
30
40
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
8
16
24
32
40
Gate Charge Qg (nc)
100
200
400
500
D
D
4
8
12
16
20
G
G
0
0
300
I = 7 A
V = 150 V
100 V
50 V
V
V
V = 150 V
100 V
50 V
Switching Characteristics
0.1
500
Drain Current I (A)
S
200
100
50
20
10
5
0.2
1
2
10
td
td
t
V = 10 V, V =
PW = 2 s, duty 1%
t
:
f
r
5
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1958 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1959 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1960 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1961 | N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 2SK1968 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1957(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1958 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1958-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SWITCHING N CHANNCE MOSFET 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 16V 100mA 12 SC70 Tape & Reel |
| 2SK1959(T1-AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SK1960-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA |
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