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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1957 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SK1957 |
2SK1957
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
4
8
12
16
20
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I = 1A
2 A
5 A
Pulse Test
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.5
Drain Current I (A)
10
S
R
D
5
2
1
0.2
0.5
0.1
1
2
5
10
20
50
Pulse Test
V = 10 V
15 V
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
0
40
80
120
Case Temperature T (°C)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
S
R
D
160
Pulse Test
I = 5 A
1 A, 2 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.1
0.5
2
Drain Current I (A)
50
F
|
20
10
5
2
0.5
0.2
1
10
V = 10 V
Pulse Test
75°C
Tc = 25°C
1
–25°C
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1958 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1959 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1960 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1961 | N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 2SK1968 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1957(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1958 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1958-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SWITCHING N CHANNCE MOSFET 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 16V 100mA 12 SC70 Tape & Reel |
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| 2SK1960-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA |
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