參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ649
英文描述： 2SJ649 Data Sheet | Data Sheet[05/2003]
中文描述： 2SJ649數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2003]
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： 2SJ649
Data Sheet D16332EJ1V0DS
7
2SJ649
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
Isolated TO-220 (MP-45F)
10.0
±
0.3
3.2
±
0.2
φ
4.5
±
0.2
2.7
±
0.2
2.5
±
0.1
0.65
±
0.1
1.5
±
0.2
2.54
1.3
±
0.2
2.54
0.7
±
0.1
4
±
0
1
±
0
1
±
0
3
±
0
1
2 3
1.Gate
2.Drain
3.Source
1
M
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ651 P CHANNEL SILICON TRASISTOR
2SJ667 2SJ667
2SJ74BL TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ74GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ74V TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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