參數(shù)資料
型號： 2SJ649
英文描述： 2SJ649 Data Sheet | Data Sheet[05/2003]
中文描述： 2SJ649數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2003]
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： 2SJ649
Data Sheet D16332EJ1V0DS
5
2SJ649
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Pulsed
V
GS
=
4.0 V
10 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
10
–
0.1
100
1000
10000
–
1
–
10
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
–
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
–
0.1
–
1
100
1000
–
10
–
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
=
–
30 V
V
GS
=
–
10 V
R
G
= 0
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
- 5
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 35
- 40
- 45
- 50
0
5
10
Q
G
- Gate Charge - nC
15
20
25
30
35
40
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
I
D
=
20 A
Pulsed
V
DS
V
GS
V
DD
=
48 V
30 V
12 V
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
–
1.0
0
–
1.5
–
0.5
Pulsed
–
0.01
–
0.1
–
1
–
10
–
100
0 V
V
GS
=
–
10 V
–
4.0 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
I
F
- Diode Forward Current - A
相關PDF資料
PDF描述
2SJ651 P CHANNEL SILICON TRASISTOR
2SJ667 2SJ667
2SJ74BL TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ74GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ74V TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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