參數(shù)資料
型號： 2SJ649
英文描述： 2SJ649 Data Sheet | Data Sheet[05/2003]
中文描述： 2SJ649數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2003]
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： 2SJ649
Data Sheet D16332EJ1V0DS
4
2SJ649
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
–
2
–
3
–
4
–
80
–
60
–
40
–
20
0
–
1
Pulsed
V
GS
=
–
10 V
–
5
–
4.0 V
–
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
Pulsed
–
4
–
1
–
2
–
3
–
5
V
=
–
10 V
–
10
–
1
–
0.1
–
100
–
0.01
T
A
=
55C
25C
75C
125C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
V
DS
=
–
10 V
I
D
=
–
1 mA
–
1.0
–
2.0
–
3.0
–
50
0
50
100
0
150
–
4.0
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
f
–
0.01
–
0.1
–
1
10
100
–
10
–
100
0.1
1
Pulsed
V
DS
=
–
10 V
T
= 125
C
75
C
25
C
55
C
0.01
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
–
1
–
0.1
120
100
80
60
40
20
0
–
10
–
100
Pulsed
V
GS
=
–
4.0 V
–
4.5 V
–
10 V
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
- 12
- 14
- 16
- 18
- 20
Pulsed
I
D
=
10 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ651 P CHANNEL SILICON TRASISTOR
2SJ667 2SJ667
2SJ74BL TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ74GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ74V TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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