參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ493
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
中文描述： 開(kāi)關(guān)P溝道功率MOS FET工業(yè)用
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： 2SJ493
Data Sheet D11265EJ3V0DS00
3
2SJ493
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
°
C
d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
20
40
60
80
100
120
140
160
35
30
25
20
15
10
5
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
T
= 25
C
Single Pulse
1ms
Powe DsipaionLmted
10ms
100ms
I
D(pulse)
R
=10V
(a V
GS
100
μ
s
DC
I
D(DC)
P
w
=10
μ
s
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
8
12
16
80
100
4
Pulsed
V
GS
=
10 V
60
40
20
4 V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
1
10
100
1000
Pulsed
0
5
10
T
ch
=
25C
25C
125C
15
V
DS
=
10 V
20
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PDF描述
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