參數(shù)資料
型號： 2SJ356
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： 個P -溝道MOS場效應(yīng)管高高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SJ356
2SJ356
4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
1 m
1 000
100
10
1
PW - Pulse Width - s
10 m
100 m
1
10
100
Single pulse
Using ceramic substrate of
7.5 cm
2
×
0.7 mm
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
–0.2
–10
–1
–0.1
–0.01
–0.001
–0.0001
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
–1
10 000
1 000
100
10
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
0
1 000
100
10
I
D
- Drain Current - A
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
t
r
–0.05
1 000
100
10
I
F
- Diode Forward Current -A
C
iss
–1.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
V
GS
= 0
Pulsed
–10
–100
V
GS
= 0
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
–1
–10
V
DD
= –25 V
V
GS(on)
= –10 V
t
d(off)
t
f
t
d(on)
t
r
–10
–0.1
–0.5
–1
–5
V
GS
= 0
di/dt = 50 A/ s
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PDF描述
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