參數(shù)資料
型號： 2SJ352
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 40K
代理商： 2SJ352
2
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–
–
–
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–
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–
G
G
Drain Current I
D
(A)
T
0
V
D
T
C
= –25°C
25
7
–
–
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–
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–
–
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–
G
G
Drain Current I
D
(A)
T
0
V
D
T
C
=–25°C
25
75
1
1
1
1
1
1
1
5
F
Forward Transfer Admittance
yfs
(S)
2
T
C
V
D
I
D
F
1
0
–
–
–
–
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1
5
1
2
5
D
D
Switching Time ton, toff (ns)
S
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t
5
–
2
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ353 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ356 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ357 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
2SJ358 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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