參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ352
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 40K
代理商： 2SJ352
2SJ351, 2SJ352
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-143
1st. Edition
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Ordering Information
Type No.
V
DSX
–180 V
2SJ351
2SJ352
–200 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ353 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ356 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ357 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
2SJ358 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
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參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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