參數(shù)資料
型號： 2SJ352
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SJ352
2SJ351, 2SJ352
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
2SJ351
V
(BR)DSX
–180
—
—
V
I
D
= –10 mA, V
GS
= 10 V
breakdown voltage
2SJ352
–200
—
—
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
V
DS(sat)
–0.15
—
–1.45
V
I
D
= –100 mA, V
DS
= –10 V
I
D
= –8 A, V
GD
= 0*
1
Drain to source saturation
voltage
—
—
–12
V
Forward transfer admittance
|y
fs
|
Ciss
0.7
1.0
1.4
S
I
D
= –3 A, V
DS
= –10 V*
1
V
GS
= 5 V, V
DS
= –10 V,
f = 1 MHz
Input capacitance
—
800
—
pF
Output capacitance
Coss
—
1000
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
18
—
pF
Turn-on time
t
on
t
off
—
320
—
ns
V
DD
= –30 V, I
D
= –4 A
Turn-off time
Note:
—
120
—
ns
1. Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ353 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ356 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ357 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
2SJ358 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
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參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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