參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2670
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SD2670
2SD2670
Transistors
z
Packaging specifications
Rev.A
2/2
package
Code
Taping
Basic ordering unit (pieces)
2SD2670
TL
3000
Type
z
Electrical characteristic curves
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
C
S
C
(
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB=20/1
V
CE
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
B
B
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
1
10
0.001
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
C
C
0.1
1
10
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
IC/IB=20/1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
45 C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
Ta=25 C
VCE=
2V
f= 100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
10
100
1000
0.001
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
0.01
0.1
1
10
100
S
B
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
IC=0A
f=1MHz
Ta=
25 C
Cib
Cob
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2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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