參數(shù)資料
型號： 2SD2703
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose amplification (30V, 1A)
中文描述： 通用放大（30V的，1A）條
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SD2703
2SD2703
Transistors
General purpose amplification (30V, 1A)
Rev.A
1/2
2SD2703
z
Application
Low frequency amplifier
z
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
V
CE(sat)
≦
350mV
At I
C
= 500mA / I
B
= 25mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : TUMT3
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Abbreviated symbol : EU
0
0
0
0.15Max.
2
1
0
(3)
(2)
(1)
1.7
2.1
0.2
0.2
0
0
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Unit
V
V
V
A
A
1
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
P
C
W
Power dissipation
Tj
°
C
°
C
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
Mounted on a 25
×
25
×
0.8mm Ceramic substrate
2
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tstg
Limits
30
30
6
1
2
0.4
0.8
150
55 to
+
150
2
1
t
z
Packaging specifications
2SD2703
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
30
30
6
270
Typ. Max.
120
320
7
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
MHz V
CE
=
2V, I
E
=
100mA, f
=
100MHz
pF
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Conditions
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
500mA/25mA
V
CE
/I
C
=
2V/100mA
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
100
100
350
680
Pulsed
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD2703TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A NPN LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2704KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2705STP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2707T2LV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2707T2LW 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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