參數(shù)資料
型號： 2SD2703
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose amplification (30V, 1A)
中文描述： 通用放大（30V的，1A）條
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SD2703
2SD2703
Transistors
z
Electrical characteristic curves
1000
Ta
=
100
°
C
B
B
(
Rev.A
2/2
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
D
F
100
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
0.1
0.01
10
1
Ta
=
25
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
C
/I
B
Pulsed
I
C
/I
B
=
20/1
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.0.001
C
C
(
0.01
0.1
10
1
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
I
C
/I
B
=
50/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
10/1
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.001
0.01
0.1
1
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
C
C
(
1.5
1.0
0.5
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0.01
0.1
1
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
10
T
T
100
1000
V
CE
=
2V
Ta
25
C
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Switching time
S
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
I
C
/I
B
=
20/1
tstg
tdon
tr
tf
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
1
E
C
10
100
Cib
Cob
I
C
=
0A
f
=
1MHz
Ta
25
°
C
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PDF描述
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2SD2707T2LW 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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