參數(shù)資料
型號： 2SD2672
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SD2672
2SD2672
Transistors
Low frequency amplifier
1/2
2SD2672
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large. (4A)
2) V
CE(sat)
≤
250mV
At I
C
= 2A / I
B
= 40mA
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TSMT3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : YX
Each lead has same dimensions
(
(
(
0
0
0
1
0
2
2.8
1.6
1
0
0
0.3 0.6
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
4
8
500
150
55~
+
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
!
Packaging specifications
2SD2672
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
70
Max.
100
100
250
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
250
60
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
2A, I
B
=
40mA
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
Cob
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2673 Low frequency amplifier
2SD2674 General purpose amplification (12V, 1.5A)
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2SD2703 General purpose amplification (30V, 1A)
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參數(shù)描述
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2673TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2675TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2679T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
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