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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2670 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low frequency amplifier |
| 中文描述： | 低頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | 2SD2670 |
2SD2670
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier
2SD2670
z
Application
Low frequency amplifier
Driver
z
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
≦
250mV
At lc=1.5A / l
B
=30mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : TSMT3
2SD2670
(1) Base
Abbreviated symbol : XX
0.7
0.16
0~0.1
0
1.0MAX
0.85
(1)
(2)
2
1
0.4
(3)
2.9
1.9
0.95 0.95
Each lead has same dimensions
~
Single pulse, Pw
=
1ms
Mounted on a 25
×
25
×
0.8mm Ceramic substrate
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
3
6
500
1
150
55 to
+
150
1
Unit
V
V
V
A
A
mW
W
°
C
°
C
Collector current
Power siddipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1
2
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2
t
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
120
Max.
100
100
250
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulse
f
T
360
30
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
500mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
1.5A, I
B
=
30mA
V
CE
=
2V, I
C
=
500mA
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector-base breakdown voltage
Cob
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD2671TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2672TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2673TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2674TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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