參數(shù)資料
型號： 2SD1864P
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|園區(qū)
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 77K
代理商： 2SD1864P
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
B
B
(
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
l
C
/l
B
= 10
V
BE (sat)
V
CE (sat)
Ta = -25
°
C
100
°
C
25
°
C
25
°
C
Ta = 100
°
C
-25
°
C
EMITTER CURRENT :
I
E
(mA)
T
T
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
1
2
5
10 20
50 100 200
5001000
1000
500
200
50
20
100
10
2
5
1
Ta = 25
°
C
V
CE
= 5V
C
(
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.9 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
100
200
500
1000
10
20
50
2
5
1
Ta = 25
°
C
f = 1MHz
I
E
= 0A
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.10 Safe operating area
(2SD1760)
0.1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
Ta = 25
C
*
Single pulse
P
W
1m*
P
W
10m*
DC
V
CE
=5v
I
C
=0.2A
1
10
1Sec 10Sec100Sec
100
1
0.1
10
100
TIME : T
(ms)
T
t
(
°
C
Fig.11 Transient thermal resistance
(2SD1760)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
5
2
1
0.1
0.2
0.5
0.02
0.05
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
(
°
C
Ta=25
Sc
Pw10mSc
DC
Fig.12 Safe operating area
(2SD1864)
1
10
100
1
10Sec 100Sec1000Sec
10
1
100
0.1
TIME : T
(ms)
T
t
(
°
C
Fig.13 Transient thermal resistance
(2SD1864)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1864Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1760P TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA
2SD1760Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1760R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1864R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1867 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV100V 1.5A 1W ECB
2SD1867TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*