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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1768S |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | 2SD1768S |
262
Transistors
2SD1898/2SD1733/2SD1768S/2SD1863/2SD1381F
Packaging specifications and h
FE
h
FE
values are classified as follows :
Electrical characteristic curves
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1769 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達(dá)林頓晶體管) |
| 2SD1779 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SD1779K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
| 2SD1779L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
| 2SD1779M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1768STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD177 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-3120V 10A 100W BEC |
| 2SD1770A | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SD1772A | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO220FA200V 1A 2W BCE |
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