參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1768S
廠(chǎng)商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor(功率晶體管)
中文描述： 功率晶體管（功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2SD1768S
(96-739-D54)
External dimensions (Units: mm)
260
Transistors
Power Transistor (80V, 1A)
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 /
2SD1381F
Features
1) High V
CEO
, V
CEO
= 80V
2) High IC,
I
C
= 1A (DC)
3) Good h
FE
linearity.
4) Low V
CE(sat)
.
5) Complements the
2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1769 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD1779 NPN SILICON TRANSISTOR
2SD1779K TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
2SD1779L TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
2SD1779M TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1768STPQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1768STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD177 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-3120V 10A 100W BEC
2SD1770A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SD1772A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO220FA200V 1A 2W BCE
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