參數(shù)資料
型號: 2SD1779K
廠商: NEC Corp.
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁|甲一(c)|至260VAR
文件頁數(shù): 1/2頁
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代理商: 2SD1779K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1779L TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
2SD1779M TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
2SD1780 NPN SILICON TRANSISTOR
2SD1780K TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
2SD1780L TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
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參數(shù)描述
2SD1779-K-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD178 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1780-K-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1781KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1781KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2