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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1780 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | 2SD1780 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1780K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
| 2SD1780L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
| 2SD1780M | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1781K | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
| 2SD1782KQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1780-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1781KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1781KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1781KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1782KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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