參數(shù)資料
型號： 2SD1781K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
中文描述： 中等功率晶體管（中等功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 81K
代理商： 2SD1781K
(96-220-D92)
External dimensions (Units: mm)
268
Transistors
Medium Power Transistor
(32V, 0.8A)
2SD1781K
Features
1) Very low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
(I
C
/ I
B
= 500mA / 50mA)
2) High current capacity in compact
package.
3) Complements the 2SB1197K..
0.4 V (Typ.)
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1782KQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59
2SD1782K Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1782KR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1785 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD1796 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達(dá)林頓晶體管)
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參數(shù)描述
2SD1781KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1781KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1781KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1782KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1782KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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