參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1781K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
中文描述： 中等功率晶體管（中等功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 81K
代理商： 2SD1781K
269
Transistors
2SD1781K
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications and h
FE
h
FE
values are classified as follows :
Electrical characteristic curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1782KQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59
2SD1782K Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
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參數(shù)描述
2SD1781KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1781KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1781KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1782KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1782KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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