型號: | 2SD1780L |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 70V的五(巴西)總裁|甲一(c)|至260VAR |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 142K |
代理商: | 2SD1780L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1780M | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SD1781K | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
2SD1782KQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59 |
2SD1782K | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
2SD1782KR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD1781KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SD1781KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1781KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1782KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SD1782KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |