參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1756
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 34K
代理商： 2SD1756
2SD1756
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= 25 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CBO
200
—
—
V
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(SUS)
170
—
—
V
I
C
= 5 A, L = 5 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
t
on
t
stg
t
f
—
—
500
μA
V
CE
= 180 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 A*
I
C
= 5 A, I
B
= 10 mA*
I
C
= 10 A, I
B
= 100 mA*
I
C
= 5 A, I
B
= 10 mA*
I
C
= 10 A, I
B
= 100 mA*
I
C
= 5 A, V
CC
= 30 V,
I
B1
= –I
B2
= 10 mA
DC current transfer ratio
1500
—
—
1
Collector to emitter saturation
—
—
1.5
V
1
voltage
—
—
3.5
V
1
Base to emitter saturation
—
—
2.0
V
1
voltage
—
—
4.0
V
1
Turn on time
—
0.9
—
μs
Storage time
—
8
—
μs
Fall time
Note:
—
3.5
—
μs
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1757KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1757KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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