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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1606 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SD1606 |
2SD1606
3
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
60
40
20
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
3
10
30
100
300
Area of Safe Operation
i
C
(peak)
I
C
(max)
1
μ
s
10
μ
s
1m
PW=1 m
D prto T
C
5
°
C
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
Ta
= 25
°
C
I
B
= 0
0.5 mA
1.0
1.5
2.0
3.0
2.5
30
100
300
1,000
3,000
10,000
30,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.1
0.3
1.0
3
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
= 3 V
Pulse
Ta = 75
°
C
25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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