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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1606 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SD1606 |
2SD1606
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= 25 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
120
—
—
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
V
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
D
t
on
t
stg
t
f
—
—
100
μA
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
V
CE
= 100 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 A*
I
C
= 3 A, I
B
= 6 mA*
I
C
= 6 A, I
B
= 60 mA*
I
C
= 3 A, I
B
= 6 mA*
I
C
= 6 A, I
B
= 60 mA*
I
D
= 6 A*
I
C
= 3 A, I
B1
= –I
B2
= 6 mA
—
—
10
μA
DC current transfer ratio
1000
—
20000
1
Collector to emitter saturation
—
—
1.5
V
1
voltage
—
—
3.0
V
1
Base to emitter saturation
—
—
2.0
V
1
voltage
—
—
3.5
V
1
C to E diode forward voltage
—
—
3.0
V
1
Turn on time
—
0.6
—
μs
Storage time
—
7.0
—
μs
Fall time
Note:
—
2.0
—
μs
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1614 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SD1615 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD |
| 2SD1615A | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD |
| 2SD1620 | 1.5V,3V Strobe Applications |
| 2SD1627 | Driver Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD161 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 120V 10A 100W BEC |
| 2SD1614-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold T/R |
| 2SD1614-T1-AZ(XK) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD1614-T1-AZ(XL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD1615A-GP-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bipolar Power Power Mini-Mold Tape & Reel 制造商:Renesas 功能描述:0 |
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