參數(shù)資料
型號： 2SC6010
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述： 硅npn型三重擴散型
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： 2SC6010
2SC6010
2006-11-13
4
r
th
– t
w
T
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
Pulse width tw (s)
Collector current I
C
(A)
Switching Characteristics – I
C
S
μ
s
10
1000
1
0.001
1000
0.01
0.1
1
10
100
10
100
Curves should be applied in thermal
limited area. (single nonrepetitive pulse)
Ta=25
℃
0.001
10
1 ms*
10 ms*
VCEO max
100
μ
s*
100 ms*
IC max (Pulse)*
1
100
1000
10
0.1
1
0.01
10
μ
s*
DC operation
Ta = 25°C
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly
with
increase
in
temperature.
5
0.1
0.1
0.3
0.5
1
3
5
1
3
0.3
0.5
tstg
tf
IC = 8IB1
2IB1 =
IB2
VCC
≈
200 V
Pulse width = 20
μ
s
Duty cycle
Ta = 25°C
≤
1
％
C
C
Ambient temperature Ta (°C)
P
C
– Ta
0
0
40
80
120
160
200
0.2
0.4
0.8
1.0
1.2
0.6
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