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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC6026 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications |
| 中文描述： | npn型硅外延型（厘進(jìn)程）通用放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | 2SC6026 |
2SC6026
2005-03-23
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6026
General-Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current
: V
CEO
= 50 V, I
C
= 100 mA (max)
Excellent h
FE
linearity : h
FE
(I
C
= 0.1 mA)/h
FE
(I
C
= 2 mA) = 0.95 (typ.)
High h
FE :
h
FE
= 120~400
Complementary to 2SA2154
Lead (Pb) free
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
60
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Base current
I
B
30
mA
Collector power dissipation
P
C
50
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
60 V, I
E
=
0
0.1
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
0.1
μ
A
DC current gain
h
FE
(Note)
V
CE
=
6 V, I
C
=
2 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
0.1
0.25
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 mA
60
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
0.95
pF
Note: h
FE
classification Y (F): 120~240, GR (H): 200~400
( ) marking symbol
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1E1A
Weight: 0.0006 g (typ.)
fSM
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
0
0.1±0.05
3
0.8±0.05
1.0±0.05
0
0
0
1
2
0.1±0.05
0
+
-
Type Name
h
FE
Rank
7F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6033 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6026CT | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Applications |
| 2SC6026CT-GR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6026CTGRTPL3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6026CT-Y | 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6026CT-Y(TPL3) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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