參數(shù)資料
型號(hào): 2SC6042
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散型
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 189K
代理商: 2SC6042
2SC6042
2006-11-13
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6042
High-Speed, High-Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
High-speed switching: t
f
= 0.2
μ
s (max) (I
C
= 0.3A)
High breakdown voltage: V
CES
= 800 V, V
CEO
= 375 V
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
800
V
V
CES
800
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
375
V
Emitter-base voltage
V
EBO
8
V
DC
I
C
1.0
Collector current
Pulse
I
CP
2.0
A
Base current
I
B
0.5
A
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
P
C
1.0
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
Base
Collector
Emitter
1.
2.
3.
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC6042,T2HOSH1Q(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6042,T2WNLQ(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6043 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6043AE 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SC6043-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2