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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC605 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SC605 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC606 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC6061 | Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6075 | Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6076 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 2SC6077 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6053 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC6053_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC6054G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SC606 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
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