參數(shù)資料
型號： 2SC6026
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
中文描述： npn型硅外延型（厘進程）通用放大器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 137K
代理商： 2SC6026
2SC6026
2005-03-23
2
D
IC - VCE
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
7
COMMON EMITTER
Ta=25°C
IB=0.1mA
0.2
0.3
0.5
2.0
1.5
1.0
0.7
IB - VBE
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
B
COMMON EMITTER
VCE = 6V
25
-25
VCE(sat) - IC
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
25
-25
VBE(sat) - IC
0.1
1
10
0.1
1
10
100
COMMON EMITTER
IC/ IB = 10
25
-25
hFE - IC
10
100
1000
0.1
1
10
100
COMMON EMITTER
VCE = 6V
VCE = 1V
25
-25
PC - Ta
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
C
V
B
V
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
C
Mounted on FR4 board
(10 mm × 10 mm × 1 mmt)
Ta = 100°C
Ta = 100°C
Ta = 100°C
Ta = 100°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC6026CTGRTPL3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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