參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5999
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
中文描述： 瑞展硅晶體管的大電流開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： 2SC5999
2SC5999
No.8029-2/4
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typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Cob
VCB=10V, f=1MHz
IC=10A, IB=500mA
IC=10A, IB=500mA
IC=100
μ
A, IE=0
IC=100
μ
A, RBE=0
IC=1mA, RBE=
∞
IE=100
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
170
150
0.93
pF
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
300
1.4
120
120
50
6
230
1300
40
Package Dimensions
unit : mm
2069C
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
10.2
1.2
2.55
2.55
2.55
2.55
4.5
0 to 0.3
0.4
1.3
9
3
2
1
8
1
1
0
0.8
1
2
3
VR
RB
VCC=20V
IC=20IB1= --20IB2=4A
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IT07555
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
10
8
IT07556
0
25
20
15
10
5
0
1
2
3
5
4
IB=0
IB=0
50mA
5mA
10mA
15mA
150mA
100mA
250mA
200mA
25mA
20mA
30mA
35mA
40mA
45mA
50mA
IC -- VCE
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6010 Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6011 Audio Amplification Transistor
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參數(shù)描述
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