參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5945TR-E
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數(shù): 9/38頁
文件大?。?/td> 378K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 15 of 35
S parameter
(VCE = 3 V, IC = 200 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.781
176.2
11.06
84.5
0.025
67.5
0.602
-168.9
500
0.782
173.7
8.73
81.7
0.030
68.0
0.606
-171.9
600
0.784
171.4
7.18
79.4
0.035
68.4
0.610
-174.1
700
0.785
169.3
6.10
77.4
0.040
68.4
0.613
-175.9
800
0.785
167.1
5.29
75.6
0.045
67.7
0.615
-177.6
900
0.784
165.1
4.67
74.0
0.050
67.2
0.618
-178.9
1000
0.785
163.2
4.17
72.5
0.055
66.7
0.619
179.8
1100
0.786
161.4
3.78
71.0
0.060
66.4
0.620
178.7
1200
0.785
159.7
3.45
69.5
0.065
65.6
0.621
177.7
1300
0.784
157.9
3.18
68.0
0.070
64.7
0.622
176.8
1400
0.784
156.1
2.95
66.5
0.074
64.0
0.623
175.9
1500
0.783
154.3
2.75
65.0
0.079
63.0
0.623
175.0
1600
0.784
152.6
2.58
63.7
0.084
62.2
0.624
174.3
1700
0.786
151.2
2.43
62.3
0.089
61.3
0.625
173.6
1800
0.786
149.7
2.29
60.9
0.093
60.3
0.625
172.8
1900
0.784
148.2
2.17
59.4
0.098
59.4
0.625
172.2
2000
0.782
146.6
2.06
58.0
0.102
58.5
0.624
171.6
2100
0.782
145.0
1.97
56.5
0.107
57.5
0.624
171.0
2200
0.782
143.4
1.89
55.1
0.111
56.5
0.624
170.3
2300
0.784
142.0
1.81
53.8
0.116
55.5
0.624
169.7
2400
0.785
140.7
1.74
52.5
0.120
54.5
0.623
169.1
2500
0.784
139.4
1.67
51.1
0.124
53.6
0.622
168.5
2600
0.781
137.8
1.61
49.6
0.129
52.4
0.621
167.9
2700
0.780
136.3
1.56
48.1
0.133
51.5
0.621
167.3
2800
0.779
134.7
1.51
46.7
0.138
50.5
0.620
166.7
2900
0.780
133.4
1.46
45.4
0.142
49.4
0.619
166.0
3000
0.780
132.1
1.42
44.1
0.146
48.3
0.618
165.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2