參數(shù)資料
型號： 2SC5945TR-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數(shù)： 27/38頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 31 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.766
178.7
11.59
85.0
0.025
59.6
0.578
-165.8
500
0.768
175.8
9.14
82.0
0.030
61.7
0.582
-169.2
600
0.770
173.2
7.52
79.5
0.035
62.5
0.586
-171.7
700
0.771
170.8
6.38
77.3
0.040
63.3
0.590
-173.8
800
0.772
168.5
5.53
75.4
0.045
63.4
0.592
-175.6
900
0.772
166.3
4.87
73.7
0.050
63.3
0.595
-177.1
1000
0.772
164.3
4.35
72.1
0.055
63.3
0.597
-178.4
1100
0.773
162.5
3.93
70.6
0.059
63.2
0.598
-179.6
1200
0.773
160.7
3.58
69.1
0.064
62.5
0.600
179.3
1300
0.772
158.9
3.30
67.6
0.069
61.8
0.601
178.3
1400
0.772
157.0
3.06
66.0
0.073
61.4
0.602
177.4
1500
0.771
155.1
2.85
64.5
0.078
60.7
0.603
176.5
1600
0.772
153.5
2.67
63.2
0.082
60.0
0.603
175.8
1700
0.775
151.9
2.51
61.8
0.087
59.2
0.604
175.0
1800
0.774
150.5
2.37
60.4
0.091
58.3
0.605
174.2
1900
0.773
148.9
2.24
58.9
0.096
57.7
0.604
173.5
2000
0.771
147.3
2.13
57.4
0.100
56.8
0.604
173.0
2100
0.771
145.7
2.04
56.0
0.105
55.8
0.604
172.4
2200
0.771
144.1
1.95
54.5
0.109
54.9
0.604
171.7
2300
0.774
142.7
1.87
53.3
0.113
54.1
0.604
171.1
2400
0.774
141.4
1.79
52.0
0.117
53.1
0.603
170.5
2500
0.774
140.0
1.72
50.6
0.122
52.3
0.603
169.9
2600
0.771
138.5
1.66
49.1
0.126
51.2
0.602
169.3
2700
0.769
136.9
1.60
47.6
0.130
50.3
0.601
168.7
2800
0.769
135.4
1.55
46.1
0.135
49.4
0.601
168.1
2900
0.770
134.0
1.50
44.8
0.139
48.3
0.600
167.5
3000
0.771
132.7
1.46
43.5
0.143
47.2
0.599
166.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*