參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5945TR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件頁(yè)數(shù)： 1/36頁(yè)
文件大小： 297K
代理商： 2SC5945TR
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 1 of 35
2SC5945
Si NPN Epitaxial
High Frequency Medium Power Amplifier
REJ03G0443-0100
Rev.1.00
Oct.28.2004
Features
Excellent Linearity
P1dB at output = +26 dBm typ. f = 2.4 GHz
High Collector to Emitter Voltage
VCEO = 5 V
Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
7 Pin, Lead less, Small mounting area (2.0 × 2.0 × 0.8 mm).
Outline
WSON0202-6V
1. Collector
2. Collector
3. Collector
4. Emitter
5. Base
6. Emitter
7. Emitter
1
3
6
5
4
2
7
1
3
6
5
4
2
7
Note:
Marking is “5945”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
13
V
Collector to emitter voltage
VCEO
5
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
500
mA
Collector power dissipation
Pc
1
Note
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
Value on PCB (40 x 40 x 1.0 mm)
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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