參數(shù)資料
型號： 2SC5945TR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件頁數(shù)： 28/36頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 34 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 250 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
400
0.749
-169.0
10.38
88.4
0.037
34.8
0.508
-149.8
500
0.753
-174.3
8.24
84.2
0.040
37.6
0.507
-155.7
600
0.757
-178.4
6.79
80.9
0.043
39.3
0.509
-159.9
700
0.759
178.1
5.76
78.1
0.046
41.2
0.511
-163.1
800
0.761
175.0
4.99
75.6
0.049
42.9
0.513
-165.8
900
0.762
172.3
4.39
73.4
0.052
44.1
0.515
-168.0
1000
0.763
169.7
3.92
71.5
0.056
45.2
0.518
-169.8
1100
0.765
167.5
3.54
69.7
0.060
46.2
0.519
-171.4
1200
0.766
165.4
3.23
67.8
0.063
46.8
0.521
-172.9
1300
0.766
163.3
2.97
66.0
0.067
47.0
0.523
-174.1
1400
0.766
161.2
2.75
64.3
0.070
47.5
0.525
-175.2
1500
0.766
159.1
2.56
62.6
0.074
47.8
0.526
-176.2
1600
0.768
157.3
2.39
61.0
0.078
48.0
0.527
-177.1
1700
0.772
155.6
2.25
59.4
0.081
47.9
0.529
-177.9
1800
0.772
154.0
2.12
57.8
0.085
47.8
0.530
-178.8
1900
0.771
152.3
2.00
56.2
0.088
47.6
0.531
-179.5
2000
0.769
150.6
1.90
54.6
0.092
47.4
0.531
179.9
2100
0.770
148.9
1.82
53.0
0.096
47.1
0.532
179.3
2200
0.771
147.2
1.73
51.4
0.100
46.6
0.533
178.7
2300
0.774
145.7
1.66
50.0
0.103
46.4
0.534
178.1
2400
0.775
144.3
1.59
48.6
0.107
45.9
0.534
177.5
2500
0.775
142.9
1.53
47.1
0.110
45.4
0.534
177.0
2600
0.773
141.3
1.47
45.5
0.114
44.7
0.535
176.4
2700
0.772
139.7
1.42
43.9
0.118
44.3
0.535
175.9
2800
0.772
138.1
1.37
42.3
0.121
43.7
0.535
175.4
2900
0.774
136.7
1.33
41.0
0.125
43.1
0.535
174.8
3000
0.775
135.3
1.29
39.5
0.129
42.3
0.535
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