參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5945TR-E
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數(shù)： 23/38頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： 2SC5945TR-E
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 1 of 35
2SC5945
Si NPN Epitaxial
High Frequency Medium Power Amplifier
REJ03G0443-0300
Rev.3.00
Aug 03, 2006
Features
Excellent Linearity
P1dB at output = +26 dBm typ. f = 2.4 GHz
High Collector to Emitter Voltage
VCEO = 5 V
Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
7 Pin, Lead less, Small mounting area (HWSON-6: 2.0 x 2.0 x 0.8 mm).
Outline
1. Collector
2. Collector
3. Collector
4. Emitter
5. Base
6. Emitter
7. Emitter
RENESAS Package code: PWSN0006JA-A
(Package name: HWSON-6 <TNP-6DTV>)
1
3
6
5
4
2
7
1
3
6
5
4
2
Note:
Marking is “5945”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
13
V
Collector to emitter voltage
VCEO
5
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
500
mA
Collector power dissipation
Pc
1
Note
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
Value on PCB (40 x 40 x 1.0 mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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