參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5905
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion mesa type
中文描述： 20 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-94, TOP-3E-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2SC5905
2SC5905
2
SJD00306BED
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
V
CE
t
f
I
B(END)
t
stg
I
B(END)
Area of safe operation
Area of safe operation (Horizontal operation)
3
2
1
00
50
100
150
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
Without heat sink
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
1.6 A
1.4 A
1.2 A
1.0 A
0.8 A
0.6 A
0.4 A
0.2 A
I
B
=
0 A
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
0
4
8
12
0
0.4
0.8
1.2
T
a
=
120
°
C
40
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(A)
10
2
10
1
1
10
10
1
1
10
2
10
T
a
=
120
°
C
40
°
C
25
°
C
1
10
2
10
10
2
10
1
1
10
10
2
T
a
=
120
°
C
40
°
C
25
°
C
F
F
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
F
f
Base current I
B(END)
(A)
0
0.4
200
400
600
800
1
000
0.8
1.2
1.6
f
H
=
32 kHz
I
C
=
10 A
L load
0
0.4
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.8
1.2
1.6
S
s
μ
s
Base current I
B(END)
(A)
f
H
=
32 kHz
I
C
=
10 A
L load
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
10
1
10
2
10
3
10
1
10
2
1
10
10
2
10
3
I
CP
=
30 A
I
C
=
20 A
DC operation
t
=
100
μ
s
1 ms
10 ms
T
25
C
Single pulse
P
C
=
70 W
30
20
10
00
1
000
500
1
500
2
000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
< 1 mA
f
=
32 kHz, T
C
<
90
°
C
ASO for a single
pulse load caused by
EHT flashover during
horizontal operation.
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PDF描述
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2SC5909 Silicon NPN triple diffusion mesa type
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2SC5913 Silicon NPN triple diffusion mesa type
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2SC5916TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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