參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5926
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SC5926
Power Transistors
2SC5926
Silicon NPN triple diffusion planar type
1
Publication date: November 2004
SJD00326AED
For power amplification
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
which has satisfactory linearity.
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Allowing supply with the radial taping
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
V
CB
=
80 V, I
E
=
0
V
CE
=
40 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
0.5 A
V
CE
=
4 V, I
C
=
3 A
I
C
=
1 A, I
B
=
20 mA
I
C
=
1 A, Resistance loaded
I
B1
=
0.1 A, I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
60
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
100
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
100
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
I
EBO
h
FE1 *2
100
500
2 300
h
FE2
100
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
t
on
0.7
V
Turn-on time
0.2
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
1.5
Fall time
t
f
0.1
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
60
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
6
V
Collector current
3
A
Peak collector current
I
CP
6
A
Collector power dissipation
P
C
15
W
T
a
=
25
°
C
2.0
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
Q
P
h
FE1
500 to 1
500
1
300 to 2
300
10.0
±
0.2
0.65
±
0.1
0.35
±
0.1
2.5
±
0.2
1
2
3
0.65
±
0.1
1.2
±
0.1
1.48
±
0.2
2.25
±
0.2
C 1.0
0.55
±
0.1
0.55
±
0.1
2.5
±
0.2
1.05
±
0.1
1
±
0
4
±
0
1
±
0
S
5.0
±
0.1
2
±
0
9
1.0
±
0.2
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
Note)*: Non-repetitive peak collector current
Internal Connection
B
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5930 Variable Capacitance Diode for TV Tuner UHF Tuning; Ratings VR (V): 34; Characteristics n: 6.3 min; Characteristics rs (ohm) max: 0.57; Characteristics C (pF) max: C2 = 14.15 to 15.75 C25 = 1.89 to 2.18; Characteristics CVR/CVR: 2/25; Cl: 2.035; Package: UFP
2SC5931 Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5932 2SC5932
2SC5939 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5946 2SC5946
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5930(T2MITUM,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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2SC5931-RL 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5936 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANASONIC TRANSISTOR
2SC593900L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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