參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5906
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Variable Capacitance Diode for TV Tuner UHF Tuning; Ratings VR (V): 34; Characteristics n: 6.3 min; Characteristics rs (ohm) max: 0.57; Characteristics C (pF) max: C2 = 14.15 to 15.75 C25 = 1.89 to 2.18; Characteristics CVR/CVR: 2/25; Cl: 2.035; Package: URP
中文描述： npn型硅外延式高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： 2SC5906
2SC5906
2006-11-13
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5906
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
High DC current gain: h
FE
= 200 to 500 (I
C
= 0.5 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.2 V (max)
High-speed switching: t
f
= 25 ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEX
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
30
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
4
Collector current
Pulse
I
CP
7
A
Base current
I
B
0.4
A
DC
0.8
Collector power
dissipation
t
=
10 s
P
C
(Note 1)
1.25
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm
2
)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-3S1A
Weight: 0.01 g (typ.)
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PDF描述
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